[プレスリリース] 【世界初】400℃熱耐性と 10 年データ保持特性を有する 無磁場高速(350 ピコ秒)書き換えスピン軌道トルク(SOT) 素子の開発と、CMOS 技術との集積化により SOT-MRAM セルの動作実証に成功 ～スピン軌道トルク素子を適用した高速不揮発性磁気メモリの実用化に向け 大きく前進～